您的位置:主页 > 新闻中心 > 企业新闻 >

适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

企业新闻 / 2021-03-22 00:30

本文摘要:LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor,竖向扩散氢氧化物半导体材料)以其大功率增益值、效率高及降低成本等优势,被广泛运用于挪动移动基站、雷达探测、网站导航等行业。频射功率大的LDMOS因为具有P、L波段之上的输出功率和低的性价比高,已沦落3G手机上通信基站射频放大器的采用器件。

华体会体育

LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor,竖向扩散氢氧化物半导体材料)以其大功率增益值、效率高及降低成本等优势,被广泛运用于挪动移动基站、雷达探测、网站导航等行业。频射功率大的LDMOS因为具有P、L波段之上的输出功率和低的性价比高,已沦落3G手机上通信基站射频放大器的采用器件。  伴随着IC处理速度的提高及器件特点规格的扩大,栅水解反应层薄厚更为厚,其栅的抗压工作能力显著升高,穿透电压是频射LDMOS器件可信性的一个最重要主要参数,它不但规定了其功率,它还规定了器件的抗压工作能力,因而必必须采取一定的有效措施以提高器件的穿透电压。

  文中将在基础LDMOS的基本上,根据器件构造的改进来提高LDMOS的抵御穿工作能力。  1LDMOS抗压特点  如图所示1下图,LDMOS最关键的结构特点是应用双扩散技术性,在同一对话框进行磷扩散,闸极长短由二种扩散的竖向结深规定。LDMOS中造成的穿透方式有栅电缆护套穿透和漏源穿透。

  LDMOS髙压器件是多子导电性器件,因为漂移区将溢区与闸极阻隔,Vds绝大多数紧急迫降在漂移区上,大部分没闸极调配,因此 当Vds减少时,输出电阻不升高。而且栅电级和漏区不重迭,进而提高了漏源穿透电压。  危害LDMOS抗压性能的要素许多 ,文中将从埋层、漂移区掺入浓度、衬底掺入浓度3层面进行剖析各主要参数对其抗压性能的危害。

  1.1危害LDMOS抗压性能的基本参数  1.1.1埋层  在P衬底用离子注入法流过N型掩埋层(NBL),一方面,NBL与P衬底及其N 掺入区组成寄主三极管,当有电压加于LDMOS器件的漏极时,可运用寄主三极管组成电流量静电感应途径,而且加进的N型埋层能够降低残渣的掺入浓度,扩大其內部电阻器,进而更为有益于出狱电流量。另一方面,NBL能够降低闸极周边的等待线折射率提高穿透电压,其电荷平衡具有使漂移区的提升浓度提高,通断电阻器降低,提升 了漏趋于穿透特点。  1.1.2漂移区掺入浓度  漂移区是LDMOS和MOS器件构造的关键差别之一,也更是因为较低掺入漂移区的不会有使LDMOS穿透电压比传统式MOS低许多。

华体会体育

漂移区长短、深层和浓度对穿透电压的危害非常大,一般说来,漂移区长短就会越宽,LDMOS穿透电压越高,可是当漂移区长短降低到一定值时,其穿透电压伴随着漂移区长短的转变逐渐减慢。穿透电压随漂移区浓度的减少再作减少后扩大。

  1.1.3衬底掺入浓度  衬底掺入浓度的尺寸对穿透电压危害较小。因为pn结一旁或是两侧掺入浓度较低时,山崩穿透是pn结关键的穿透体制,LDMOS的一次穿透是关键集中化于在漏极处的山崩穿透,在一定范嗣内,衬底浓度就越小,与漏极组成的偏位PN拢的势垒总宽就越长,碰撞大幅度提高频次就越大,山崩穿透也就就会越更非常容易再次出现,穿透电压就就越较低。


本文关键词:华体会体育,适用于,射频,集成电路,的,抗,击穿,LDMOS,设计

本文来源:华体会官网-www.pkvcl.com